和集电电流的强度记录下来。
“第一次：输入100微安，集电毫安，电流扩大197倍......”
“第二次：输入125微安，集电毫安，电流扩大195倍......
“第三次：输入75微安，集电毫安，电流扩大197倍......”
“第四次：输入300微安，集电毫安，电流扩大199倍......”
“........”
十几次测试下来，最终的结果以表格的方式呈现在一张纸上。
碳化硅晶体管放大电信号的稳定性出乎了韩元的意料，也震惊到了直播间中蹲守收看的科研人员。
三位数的电流扩大效应并不算什么，但电流扩大的稳定性效应却及其可怕。
上下波动不超过五倍，这简直难以让人相信。
如果说这是集成芯片上的晶体，那做到这种地步的确是有可能的。
但别忘了，这是一枚及其简陋的碳化硅晶体管。
制造过程他们全程都看在眼中，这名主播没有使用任何高精密仪器，也没有使用光刻胶、单晶硅等尖端材料。
最高层次的技术，莫过于在制造N-漂移层时使用‘电热离子渗透法’。
“如果说，将这种技术应用到芯片的硅基底上会怎么样？”
在震惊过后，研究这一方面的科研学家脑海中都冒出来了一个大胆的想法。
毕竟晶体管的碳化硅基底的制造和芯片硅基底的制造在某些程度上是有相同步骤的。
比如铝离子的注入，沟槽的侵蚀，这些东西都完全可以应用起来。
更关键的是，这名主播制造P型硅的时候，使用的是多晶硅！
多晶硅和单晶硅虽然只有一字之差，但两者的制造难度截然不同。
如果能用多晶硅来代替单晶硅当做芯片的硅基的话.......
想到这，所有科研学者的呼吸不由自主的沉重了起来。
模拟空间中，韩元并不知道自己今天的实验给外界带来的震撼。
他还在忙碌着给碳化硅晶体管进行测试并记录所有的数据。
太阳落山，时间又至夜晚。
物理实验室的电灯早已经升起，而通过不断的进行测试后，韩元也顺利的完成了针对这枚晶体管的‘放大能力’的检测。
至于剩下的工作，放到明天来做。
毕竟针对性的测试并不少。
除了放大能力检测外，他还需要检测这枚碳化硅晶体管的反向击穿电流，电压检测、达林顿管检测、以及极限参数检测等。
在顺利通过这些检测后，这枚晶体管才能应用到晶体管计算机上。
这些检测并不是一天两天就能完成的，耗时可能要半个月以上。
而且有些检测的设备他手中还没有，需要进行制造。
除此之外，针对性的检测也不是一枚碳化硅晶体管能搞定的，他还需要再制造出来几十上百枚同类型的晶体管才可以确认这种制造方法没有问题。
所以韩元已经准备将接下里一个多月的时间全都耗在这上面了。
但无论如何，第一颗碳化硅电信号放大晶体管算是制造成功了，有了这个基础，接下来其他种类晶体管的制造会容易很多。
就像你攀登上了珠穆朗玛峰后，再去爬其他山峰一样。
尽管依旧艰辛，但难度却已经不在一个档次了。
怀着激动，韩元和直播间中的观众打了个招呼后便停下了直播。
收拾实验室，整体资料，他准备回去弄点好吃的犒劳一下自己了。
一次制造，就能成功的将碳化硅晶体管制造出来，这已经很不可思议了。
尽管这枚晶体管还未完全通过测试，但也值得庆祝一下。
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